Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt. Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt Das Grundprinzip der Plasma Immersions Ionenimplantation besteht darin, ein Werkstück in ein Plasma einzutauchen und durch das Anlegen von negativen Hochspannungspulsen Ionen aus dem Plasma herauszuziehen und in Richtung des Werkstücks zu beschleunigen. Dadurch werden die Ionen in die Werkstücksoberfläche implantiert
Ionenimplantation-Anlage. Alle Ionenimplanter bestehen aus einer Ionenquelle, einem Beschleunigungssystem (Ionenbeschleuniger), einer Extraktionsblende, einer Masse- und Energietrennung der Ionen, einem Abtastsystem, sowie einer Kammer zur Bearbeitung der Wafer
Schematischer Aufbau der MAT-Anlage zur Plasma-Ionenimplantation MATPII 800 . Auch bei der Plasma-Ionenimplantation ergeben sich geometrisch bedingte Unterschiede in der Ionendosis. Der Effekt ist für viele Anwendungen aber eher nützlich, als daß er das Ergebnis beeinträchtigt, da vor allem die bei Werkzeugen stark belasteten Kanten mit einer höheren Ionendosis bestrahlt werden. Von. Die Ionenimplantation wird seit vielen Jahren zur Modifizierung von Oberflächen eingesetzt. Dazu werden Ionen erzeugt und beschleunigt und mit hoher Energie in die Oberfläche eines Festkörpers geschossen. Die Eindringtiefe der Ionen beträgt je nach Impuls und Energie der Ionen und der Art des Substrats einige 10 nm bis einige 100 nm. Daneben werden Versetzungen erzeugt, die wesentlich. Da die Ionenimplantation bei Raumtemperatur erfolgt, wird bei dieser Technik kein Verwischen bereits eingebrachter Dotierungsstrukturen riskiert. Grundlagen / Aufbau der Materie. Das Atom ; Klassifizierung / Periodensystem; Edelgase; Elemente; Festkörperverbund; Ionenbindung; Kovalente Bindung; Metallbindung; Elektrische Leitfähigkeit im Festkörper. Leiter; Halbleiter; Nichtleiter; Energie
Bei der Ionenimplantation spielt die Reichweite der Ionen eine entscheidende Rolle. Eine wichtige Theorie zur Beschreibung der Reichweite von Ionen in amorphen Festkörpern wurde 1963 von Jens Lindhard, Morten Scharff und Hans E. Schiott aufgestellt, allgemein als LSS-Theorie bekannt. Sie beschreibt die Abbremsung der Ionen durch die Elektronen des Bremsmediums, wobei das Elektronengas eine. Einleitung . Die Ionenimplantation ist der wichtigste Prozess zur Dotierung von Halbleitern (meist Silizium) zur Herstellung mikroelektronischer Bauelemente.Sie hat hierbei in den meisten Fällen die Diffusion ersetzt. Es gibt jedoch auch zahlreiche Anwendungsmöglichkeiten außerhalb der Mikroelektronik Ionenimplantation-Anlage. Alle Ionenimplanter bestehen aus einer Ionenquelle , einem Beschleunigungssystem (Ionenbeschleuniger), einer Extraktionsblende, einer Masse- und Energietrennung der Ionen, einem Abtastsystem, sowie einer Kammer zur Bearbeitung der Wafer Für das Geschäftsfeld Ionentechnologie nutzen wir die Anlagen des Ionenstrahlzentrums am HZDR. Die langjährige Expertise auf dem Gebiet der Ionentechnologie, moderne und leistungsfähige Maschinen sowie hochqualifiziertes Personal ermöglichen eine zügige Prozessierung von Standardimplantationen unter Einhaltung hoher Qualitätsstandards Am Fraunhofer IISB in Erlangen wird gerade eine neue Anlage zur Ionenimplantation in Betrieb genommen. Das knapp 15 Tonnen schwere und rund 3 Mio. Euro teure Großgerät wird im gemeinsam mit dem IISB betriebenen Reinraum der Universität Erlangen-Nürnberg aufgestellt. Damit werden die Möglichkeiten der beiden Einrichtungen zur Forschung und Lehre in der Halbleitertechnologie für die Mikro.
Die Ionenimplantation ist ein wichtiger Prozess in der Halbleiter-Herstellung. Implanteranlagen dotieren Wafer mit Fremdatomen, um Materialeigenschaften wie Leitfähigkeit oder Kristallstruktur zu verändern. Der Strahlengang ist das Zentrum einer Implanteranlage. Hier werden die Ionen erzeugt, konzentriert, enorm beschleunigt und mit sehr hohen Geschwindigkeiten auf den Wafer gelenkt. Eines. Zur Durchführung von Hochenergie-Ionenimplantation nutzen wir Europas größtes und modernstes Ionenstrahlzentrum (IBC) am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. Die Zusammenarbeit mit dem IBC am HZDR ermöglicht uns den Zugang zu leistungsfähigen Maschinen in Kombination mit einem hochqualifizierten Operatoren-Team. Die Symbiose aus wissenschaftlicher und industrieller Nutzung der Anlagen. Nach erfolgreicher Umrüstung einer Anlage ist die rubitec seit Beginn des Jahres in der Lage alle angebotenen Implantationen auch auf 200mm Wafern anzubieten. Das Handling der Wafer erfolgt dabei zur Zeit noch manuell. rubitec GmbH. Universitätsstraße 150 44801 Bochum. Tel.: +49(0) 234 - 32 - 11950 Fax: +49(0) 234 - 32 - 14194. E-Mail: rubitec@rubitec.de. Kontakt aufnehmen. Kontakt. So. coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate Bauteile für die Ionenimplantation. Vom kleinsten Ersatzteil bis zur fertigen Ionenquelle. Für alle Wafer-Durchmesser und Fertigungstechnologieschritte: Mit unseren über 2 000 Bauteilen für Implanteranlagen sind wir weltweit der größte Second-Source-Lieferant für die Ionenimplantation. Bei Plansee Electrograph bearbeiten wir unsere Elektroden für die Ionenimplantation. Sie formen den.
Ionenimplantation. Quelle, Strahlführung, Endstation; Wafer-Transport. Ladeschleuse und Transfer; Prüf- und Messtechnik. CD-REM; AMC- und Partikelüberwachung im FOUP ; AMC-Überwachung im Reinraum; Lithographie; Anlagen und Wartung. Lecksuche; Halbleiter. In den letzten Jahrzehnten hat die Halbleiterindustrie unsere Welt geprägt und zum Wachstum fast aller Branchen sowie zum Wohlergehen. Die GSD ist ein weit verbreitetes Implantersystem von Axcelis. Für alle GSD-Generationen hat Plansee passende Implanterquellen. Was das Feedback von zahlreichen GSD-Nutzern in den letzten Jahren gezeigt hat: Das Verbesserungspotential der Standard-Quelle ist enorm. Deshalb hat Plansee die Quelle komplett erneuert. Sie kann bequem in bestehende Anlagen eingesetzt werden
Eigenschaften von Silicium, Dotierverfahren, Waferherstellung, Herstellung des Rohsiliciums und des Einkristall Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt. Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen. Werkzeuge aus hochreinem Graphit in der Halbleiter-, Verbindungshalbleiter- und Photovoltaikindustrie Epitaxy und MOCVD Für die Abscheidung dünner Schichten, beispielsweise durch Epitaxie oder metallorganische Abscheidung aus der Gasphase (MOCVD) liefert Mersen ultrareine Graphitprodukte als Halter für die Substrate oder Wafer. Im Zentrum des Prozesses sind diese Anlagen, Suszeptoren. Leistungssteigerung einer Meerwasserentsalzungsanlage über Ionenimplantation Leistungssteigerung einer Meerwasserentsalzungsanlage über Ionenimplantation Diezel, L. L.; Fröba, A. P.; Kremer, H.; Leipertz, A. 2006-09-01 00:00:00 Industrielle Wasserbereitstellung/-nutzung 1215 Chemie Ingenieur Technik 2006, 78, No. 9 focus on the reaction of calcium and carbonate and molecular modeling.
ches Zentrum für Ionenstrahlanwendungen mit Anlagen zur Ionenimplantation, zur ionen- und plasmagestützten Schicht-abscheidung und zur Ionenstrahlanalytik. Die Angebote des Applikationslabors umfassen: • Beratung und Problemevaluierung bei der Anwendung von Ionenstrahlen • Durchführung von Serviceleistungen auf den Gebieten Ionenimplantation, Plasma-Immersions-Ionen-Implantation (PBII. Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt. Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter. Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial ().Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter Anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet Aufbau einer Anlage zur Ionenimplantation Abb. 24: Der Aufbau einer Ionenimplantationsanlage In einer Anlage zur Ionenimplantation, wie in Abb. 24 dargestellt, wird der Ionenstrahl mit folgenden Bestandteilen erzeugt, die sich alle in einer Vakuumanlage befinden, die mittels Turbomolekular- oder Kryopumpen evakuiert wird: Ionenquelle: Hier werden positiv geladene Ionen des Dotierstoffs erzeugt Die Plasmaerzeugung findet unter Vakuum statt, das erzeugte Plasma ist dabei nicht erhitzt, was bei vielen Prozessen wichtig ist. Je nach Gas und Anlage in der das Plasma erzeugt wird, kann es in der Abscheidung, beim Sputtern, zum Ätzen oder auch bei der Ionenimplantation verwendet werden. Durch die schnellen Schwingungen der positiven Ionen im Hochfrequenzfeld sind diese sehr energiereich
ANLAGEN; SERVICE; Publikationen; KONTAKT; ARBEITSGEBIETE . Ionenstrahlbeschichtung, Ionenimplantation, Ionenstrahlmischen, Ionenstrahlgestützte Beschichtung (IBAD) Beschichtung mittels Ionenstrahlverfahren, Ionenstrahlbeschichtung von Metallen, Legierungen sowie nichtmetallischen Werkstoffen auf festen und flexiblen, metallischen und nichtmetallischen Substraten z.B. Polymere und Textilien. Anlagen von Quintus stehen für Verlässlichkeit und Innovation. Jede Komponente muss leistungsstark und langlebig sein, gerade bei immer härteren Einsatzbedingungen. Etwa bei heißisostatischen Pressen (HIP): Um die Produktivität zu steigern, wollen Betreiber ihre Anlagen mit immer mehr Ladung beschicken. Neue Prozesse laufen oft bei sehr hohen Einsatztemperaturen Ionenimplantation (P, B, H, Ga, Si) Nasschemische Prozesse zur Reinigung und Strukturierung Gelblichtbereich für Photo- und Laserlithographie zur Erzeugung von Mikrostrukturen mit beidseitiger Alignierung Waferbonding-Technologie Plasmatechnologie (PECVD und Ätzen) Atomlagenabscheidung (ALD) Bearbeitung von flexiblen Wafergrößen bis zu 157. Die Physiker stellten in Zusammenarbeit mit Prof. Dr. Bernd Abel vom Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung (IOM in Leipzig), die besonderen roten Diamanten selbst her - in einer nach eigenen Angaben weltweit einmaligen Anlage zur Ionenimplantation und Elektronenbestrahlung. In dem Produktionsprozess wird ein Stickstoffatom mit hoher Geschwindigkeit in das äußerst stabile. Intevac Inc. (Santa Clara, Kalifornien, USA) hat im ersten Quartal 2013 eine Anlage zur Ionenimplantation an einen nicht genannten Photovoltaik-Hersteller in Asien geliefert, die nun auch erfolgreich abgenommen wurde
Hierbei wird gerne auf aktuelle Probleme oder anwenderspezifische Neuerungen besonders eingegangen. Im Anschluss an das Treffen können bei einem gemeinsamen Abendessen, zusammen mit den Herstellern von Heißprozess- und RTP-Anlagen und Teilnehmern der Nutzergruppen Ionenimplantation weitere Themen intensiv diskutiert werden Weltweit einmalige Anlage. Die besonderen roten Diamanten stellte Meijers Team zuammen mit Bernd Abel vom Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung (IOM) in Leipzig selbst her - in einer hochmodernen und weltweit einmaligen Anlage zur Ionenimplantation und Elektronenbestrahlung. Im Produktionsprozess wird ein Stickstoffatom mit hoher Geschwindigkeit in das äußerst stabile. Kommerzielle Ionenimplantation und Analytik werden über individuelle Verträge abgewickelt. Serviceleistungen größeren Umfangs werden über die HZDR Innovation GmbH angeboten. Technologiefelde Dünnschichttechnik DLC Beschichtungen Ionenimplantation Lohnfertigung Ionenimplantation im Lohn Diamond Like Carbon Lohnbeschichtung PVD PACVD Kohlenstoffschichten Verschleißschutz reibarm Hartstoffschichten Reibungsreduzierung PLD Anlage ntechnik Oberflächentechnik CVD axyprotect axynit plasmaimpax axplorer Laserablation Laserdeposition Entwicklung PLD-Systeme PLD-Anlage n antiadhäsiv. Prozessingenieur Ionenimplantation (m/w/div.) Bosch Gruppe Dresden Ganzheitlich umsetzen: Sie betreuen eigenverantwortlich Prozesse und Anlagen in der Waferfertigung im Bereich der Implantation mit Fokus auf die Verbesserung der Prozessstabilität und der Maschinenverfügbarkeit. * Strukturiert bewerten: Die Analyse und Lösung komplexer Produktions- und Prozessprobleme bildet einen.
Pfeiffer Vacuum Inc. 24 Trafalgar Square NH 03063-1988 Nashua. T +1 (800) 248-8254: F +1 (888) 658-7983: Nachricht schreibe Wir bieten Lösungen für Energiespeicheranwendungen wie die Herstellung und Leckprüfung von Lithium-Ionen-Batterien, Schwungradsystemen und Wasserstoffspeichern
Ionenimplantation-Anlage. Alle Ionenimplanter bestehen aus einer Ionenquelle , einem Beschleunigungssystem (Ionenbeschleuniger), einer Extraktionsblende , einer Masse- und Energietrennung der Ionen, einem Abtastsystem, sowie einer Kammer zur Bearbeitung der Wafer anlagen und der Übersetzung, vorbehalten. Printed in Germany. ISBN-10: 3-8322-5081-6 ISBN-13: 978-3-8322-5081-2 ISSN 0948-3462 Shaker Verlag GmbH • Postfach 101818 • 52018 Aachen Telefon: 02407 / 95 96 - 0 • Telefax: 02407 / 95 96 - 9 Internet: www.shaker.de • eMail: info@shaker.de. Kurzzusammenfassung i Kurzzusammenfassung Während der Ionenimplantation werden Atome und Moleküle.
Produzenten, Lieferanten zum Suchbegriff: ½anlagen / anlagen. Wir sind gerne persönlich für Sie da! +49 (0) 2841-880580. Mo-Do von 09:00 bis 17:00 Uhr, Fr bis 15:00 Uh Nach erfolgreicher Umrüstung einer Anlage ist die rubitec seit Beginn des Jahres in der Lage alle angebotenen Implantationen auch auf 200mm Wafern anzubieten. Das Handling der Wafer erfolgt dabei zur[...] Mehr Details. rubitec GmbH. Universitätsstraße 150 44801 Bochum. Tel.: +49(0) 234 - 32 - 11950 Fax: +49(0) 234 - 32 - 14194. E-Mail: rubitec@rubitec.de. Kontakt aufnehmen. Kontakt. So. Der 500kV-Beschleuniger ist eine selbst konzipierte und gebaute Anlage mit Ionenströmen bis zu einigen 100µA und hoher Energieschärfe (Ripple im Bereich von 10V-20V). Als Ionenquellen stehen ein Duoplasmatron, eine Sputter-, Penning- und eine Hohlkathodenquelle zur Verfügung. Die extrahierten Ionen werden durch einen 90° Magneten selektiert, sodass nur die gewünschte Ionensorte. Produzenten, Lieferanten zum Suchbegriff: anlage. Wir sind gerne persönlich für Sie da! +49 (0) 2841-880580. Mo-Do von 09:00 bis 17:00 Uhr, Fr bis 15:00 Uh Die Physiker stellten in Zusammenarbeit mit Prof. Dr. Bernd Abel vom Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung (IOM in Leipzig), die besonderen roten Diamanten selbst her - in einer hochmodernen und weltweit einmaligen Anlage zur Ionenimplantation und Elektronenbestrahlung. In dem Produktionsprozess wird ein Stickstoffatom mit hoher Geschwindigkeit in das äußerst stabile Gitter.
Anlagen- und Maschinenbau, Behälterbau, Schlossereien, Schaltschrankbau: personnel change at plant: Personalwechsel im Werk: grease gun production plant: Fettpressenproduktionsanlage: flue gas desulfurization plant: Rauchgasentschwefelungsanlage: technical description of the plant: technische Beschreibung der Anlage: waste treatment and recycling plant: Abfallbehandlungs- und. Die neue Forschungs-Anlage besteht u.a. aus diesen Adenso-Produkten: Innovation GmbH nutzt hierfür die Geräte und Technologien im Ionenstrahlzentrum, um die Ausgangsmaterialien durch Ionenimplantation widerstandsfähiger, beständiger und effizienter zu machen. Die Nutzung des Ionenstrahlzentrums für industrielle Aufträge aus der Medizintechnik, der Halbleiter- und.
Oxidationsschutz für neuartige Hochtemperatur-Leichtbauwerkstoffe durch Ionenimplantation. 31 ZBG/1+2. Die Zielsetzungen des Projektes waren die Übertragung des Halogeneffektes auf technische TiAl-Legierungen und der Aufbau einer PI 3-Anlage für die Implantation komplexer Bauteile anstelle von Laborproben. Außerdem sollte der Ersatz der reinen Halogene zur Plasmaerzeugung durch. Aktuelle Buch-Tipps und Rezensionen. Alle Bücher natürlich versandkostenfre Vielen Dank für Ihre Unterstützung: https://amzn.to/2UKHXys Ionenimplantation Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.Auf. Um Plasma Immersions Ionenimplantation betreiben zu können, benötigt man eine Anlage, die aus folgenden grundlegenden Teilen besteht: Ein Vakuumgefäß mit einem gegenüber der Kammerwand elektrisch isolierten Probenhalter und der notwendigen Ausrüstung zur Vakuumerzeugung (Vakuumpumpen, Druckmessung) MST-Techno: Beschreiben Sie die bei der Dotierung durch Ionenimplantation auftretenden Teilprozesse. Zeichnen Sie eine Implantationsanlage mit den wichtigsten Komponenten. - Teilprozesse Ionisation Dotierstoff.
Ziel ist die Entwicklung einer neuen Anlage für die Plasma-Ionenimplantation zur Herstellung von Rückseitenkontakt-Solarzellen für schwaches bis mittleres Sonnenlicht. Mit der Technologie des CEA- INES (Behörde für Atomenergie und alternative Energien - nationales Institut für Solarenergie) sollen Zellen mit hohem Wirkungsgrad (über 22 %) bei niedrigen Produktionskosten hergestellt. Neues entstehen lassen: Sie unterstützen beim Aufbau unseres neuen und zukunftsorientierten 300 mm Halbleiterwerkes mit 24/7 Produktion in Dresden den Prozessbereich Implantation. Ganzheitlich umsetzen: Sie betreuen eigenverantwortlich Prozesse und Anlagen in der Waferfertigung im Bereich der Implantation mit Fokus auf die Verbesserung der Prozessstabilität und der Maschinenverfügbarkeit AxynTeC Dünnschichttechnik GmbH in Augsburg | B2B Dienstleistungen | Alle Informationen auf einen Blick: Adresse Telefonnummer Zertifikate Jetzt kontaktieren Verfahren der Ionenimplantation mit verringerter Erwärmung des zu implantierenden Targets, wobei eine Ionenquelle (1) und Fokussierungsmittel (2) verwendet werden, gekennzeichnet dadurch , daß das Target (5) als einzelne Scheibe mit einem derart defokussierten Ionenstrahl (71) mit im wesentlichen konstanten Intensitätsprofil über den Strahlquerschnitt A-B an dem für das Target (5.
Mechanische und elektrische Konstruktion von Anlagen und Komponenten. Kundenspezifische Ingenieurleistung und Hardware-Optimierung . Schichtstapelsimulation und -modellierung (z.B. Eigenschaften optischer Schichten) Konstruktion maßgeschneiderter ALD-Reaktoranlagen . Oberflächenbehandlung - Reinigung, Ätzen, Ionenimplantation. Rapid Thermal Processing (RTP) von Proben mittels. Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial ().Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials ändern. Das verfahren wird unter Anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichenet Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Am Fraunhofer IISB in Erlangen wird gerade eine neue Anlage zur Ionenimplantation in Betrieb genommen. Das knapp 15.
Anlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (24, 25) zum Ionisieren und Beschleunigen der Eisteilchen (18) eine Elektronenshowereinrichtung (24) aufweist. 4. Anlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilchendurchmesser der Eisteilchen (18) 1 bis 50 µm beträgt. 5. Verfahren zum Einführen von Gitterstörstellen in die. ALD-Anlage zum Abscheiden ultradünner Wolfram-Schichten in Glaskapillaren für medizinische Röntgenanwendungen. Oberflächenbehandlung: FLA-Behandlung großflächiger TCO-Schichten auf Dünnglas und anderen flexiblen Substraten. Technologieentwicklung: Aktivierung von Dotierstoffen und Rekristallisierung von Si, Ge, SiC, GaAs, GaN, InP etc. durch Flash Lamp Annealing (FLA. Produzenten, Lieferanten zum Suchbegriff: ke anlage. Wir sind gerne persönlich für Sie da! +49 (0) 2841-880580. Mo-Do von 09:00 bis 17:00 Uhr, Fr bis 15:00 Uh mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage; Herstellungsausrüstung für die Ionenimplantation mit Strahlströmen größer/gleich 5 mA; Herstellungsausrüstung für die physikalische Beschichtung aus der Dampfphase (PVD = physical vapour deposition) mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) mit einer Stromversorgungsanlage von mehr als 80 kW Nennleistung und mit einer der folgenden Eigenschaften: mit. © by andereswortfuer.net - Datenschutz, Nutzungsbedingungen und ImpressumDatenschutz, Nutzungsbedingungen und Impressu
Willkommen bei Bosch.Die Robert Bosch Semiconductor Manufacturing Dresden GmbH freut sich auf Ihre BewerbungAnstellungsart: Unbefristet Arbeitszeit: Vollzeit Arbeitsort: DresdenNeues entstehen lassen: Werden Sie Teil unseres Teams Gemeinsam bauen wir eine vollautomatisierte 300mm Halbleiterfertigung in Dresden auf.Ganzheitlich umsetzen: Sie betreuen eigenverantwortlich Prozesse und Anlagen in. Ganzheitlich umsetzen: Sie betreuen eigenverantwortlich Prozesse und Anlagen in der Waferfertigung im Bereich der Implantation mit Fokus auf die Verbesserung der Prozessstabilität und der Maschinenverfügbarkeit. * Strukturiert bewerten: Die Analyse und Lösung komplexer Produktions- und Prozessprobleme bildet einen Schwerpunkt Ihrer Aufgabe. Mithilfe statistischer Auswertungen tragen Sie zur. Jobs Prozessmanagement in der Branche Sonstige Branchen: Finden Sie aktuelle Stellenangebote und offene Stellen bei Top-Arbeitgebern mit unserer Jobsuche. Jetzt bewerben 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung. 0751008 11. Elektronenstrahl-Lithographie-Systeme Epitaxie-Anlagen Röntgen-Lithographie-Systeme 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen 0751008 11. MOCVD-Anlagen (Molekularstrahl-Beschichtung) PECVD-Anlagen (Plasma-Emissions-Beschichtung) 0930. Spezialgeräte der Halbleiterprozesstechnik 0751008. 11 0940---0950 ---0960 ---0970.